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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐ萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市n)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场萍乡市是哪个省，萍乡市是哪个省的城市咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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